Hewlett-Packard объединяет усилия с компанией Hynix Semiconductor с целью освоения производства накопителей, выполненных по революционной технологии с использованием мемристоров. Мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Теоретическая возможность существования мемристора была высказана в 1971 году профессором Калифорнийского университета в Беркли (США) Леоном Чуа (Leon Chua), однако на практике создать прототип мемристора удалось только в 2008 году силами НР. Ключевая особенность элемента данного типа — гистерезис: реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей. Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это позволяет использовать элемент в качестве ячейки памяти. В качестве основного материала для нового типа памяти планируется использовать диоксид титана. Поначалу, как сообщается, накопители на мемристорах смогут стать альтернативой флеш-памяти. Среднее время записи/стирания данных, предположительно, составит около 0,1 нс; количество циклов перезаписи — 1012. Появление таких продуктов ожидается в середине или во второй половине 2013 года. В дальнейшем планируется улучшение характеристик памяти нового типа, после чего она сможет конкурировать с микросхемами DRAM и SRAM. Случится это в 2014–2015 гг.
Источник