Американская корпорация Applied Materials отказалась поставлять оборудование для завода по производству микросхем энергонезависимой MRAM-памяти в Москве, рассказал глава "Роснано" Анатолий Чубайс. Проект строительства завода реализует международный консорциум с участием "Роснано". "Мы находимся на завершающей стадии строительства крупного предприятия "Крокус наноэлектроника" в технополисе "Москва" (территория бывшего завода "Москвич". - прим. источника) по производству магниторезистивной памяти (MRAM). Часть оборудования должна была поставить американская Applied Materials, но отказалась", - пояснил Чубайс. Причиной отказа стало отнесение оборудования к технологиям двойного назначения, попавшим под запрет в условиях санкционного режима. По словам Чубайса, консорциум нашел другого поставщика в КНР. "Это пример, когда мы сумели быстро найти решение и пуск завода не был сорван", - заключил глава "Роснано". Напомним, что по своим особенностям и характеристикам, MRAM-память способна заменить модули флэш-памяти и DRAM-память. Активные разработки прикладных модулей MRAM-памяти начались в конце 90-х подразделением компании Motorola, затем преобразованного в компанию Freescale.
Источник